現代の化学と応用

概要

蛍光性 2-(1-メトキシナフタレン-4-イル)-1-(4-メトキシフェニル)-4, 5-ジフェニル-1H-イミダゾールと純粋な Zno、Cu ドープ Zno、Ag ドープ Zno ナノ粒子との相互作用

P ポンナンバラム、S クマール、P ラマナサン

ZnO、CuドープZnO、AgドープZnOなどのナノ粒子用の高感度2-(1-メトキシナフタレン-4-イル)-1-(4-メトキシフェニル)-4,5-ジフェニル-1H-イミダゾール(MNMPI)蛍光センサーが設計され、合成されました。PVP K-30をテンプレート剤として用いたゾルゲル法によるZnO、CuドープZnO、AgドープZnOナノ粒子の容易な調製が報告され、粉末X線回折(XRD)、走査型電子顕微鏡(SEM)、紫外可視分光法、および光ルミネセンス分光法(PL)によって特性評価されました。合成されたセンサーの放出はナノ結晶の純粋なZnOによって強化されますが、CuドープZnOおよびAgドープZnOナノ粒子によって抑制されます。蛍光の抑制は銀ドーピングよりも銅によって追加されます。 CuドープZnOに関連するMNMPIのLUMOおよびHOMOエネルギーギャップは、純粋なZnOと比較して低く、したがって純粋なZnOと比較して赤方偏移しています。ZnO、CuドープZnO、AgドープZnOの平均結晶子サイズは、32 nm、36 nm、26 nmと推定され、ZnO、CuドープZnO、AgドープZnOの計算表面積は、それぞれ30.04 m ² /g、40.66 m ² /g、29.37 m ² /gです。分散半導体ナノ粒子で観測された吸収の増加は、半導体表面へのMNMPIの吸着によるものです。これは、MNMPIの励起状態から半導体ナノ粒子の伝導帯への電子の効率的な移動によるものです。