フランシスコ・ソラ
この報告書では、透過型電子顕微鏡 (TEM) での電子ビーム照射と、それに続く走査型電子顕微鏡 (SEM) での 2 プローブ抵抗率法を用いて、電子ビーム照射がカーボンナノチューブ (CNT) 糸の電気抵抗率に与える影響について調査しました。高解像度 TEM (HRTEM) で明らかにされたように、電子線量の増加により、CNT 糸内の局所架橋と非晶質領域の両方が観察されました。抵抗率の下限値は、使用した最大線量で得られ、これは元の糸の抵抗率を下回りました。抵抗率データは、微細構造の変化を考慮した提案モデルによって説明されます。